财经投资新闻:国家存储器基地项目二期开工,规划月产能20万片

发布时间:2020-06-23 01:49   来源: 成都新闻网  Tag:
新闻导读:国家存储器基地项目二期开工,规划月产能20万片由成都新闻网采编:(文/观察者网 吕栋)6月20日,紫光集团发布消息,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工,规划产能20万片/月,达产后与一期项目合计月产能将达30万片。 不容忽...

(文/观察者网 吕栋)6月20日,紫光集团发布消息,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工,规划产能20万片/月,达产后与一期项目合计月产能将达30万片。

不容忽视的是,行业龙头三星近期也在闪存领域动作频频。6月1日,其宣布将在韩国平泽工厂扩产NAND闪存芯片,同时该公司在西安的闪存项目也在持续扩大投资,计划建成全球规模最大闪存芯片制造基地。

观察者网注意到,受上述消息影响,今天A股早盘,光刻胶、半导体、国产芯片等板块纷纷走强。个股方面,瑞芯微、北方华创、中微公司、北京君正、华特气体、华峰测控等集成电路概念股均大幅上涨。

A股半导体板块今日股价信息

一期主要实现技术突破

紫光集团介绍,长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。

其中,项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产。

在开工仪式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国表示,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

今年4月,在64层闪存量产7个月后,长江存储宣布新的研发进展,其跳过96层,成功研制出业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。

谈及量产时间,长江存储当时向观察者网表示,配合前述产能,128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。

2019年9月,长江存储核心厂区   图片来源:长江存储官网

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